屹唐半导体科创板IPO首发过会

8月30日,据上交所科创板上市委2021年第59次审议会议结果公告显示,北京屹唐半导体科技股份有限公司(下称“屹唐半导体”)科创板IPO首发过会。该公司总裁兼首席执行官是中国科大校友陆郝安博士(772)。

屹唐半导体是一家总部位于中国,以中国、美国、德国三地为研发、制造基地,面向全球经营的半导体设备公司,主要从事集成电路制造过程中所需晶圆加工设备的研发、生产和销售,面向全球集成电路制造厂商提供包括干法去胶设备、快速热处理设备、干法刻蚀设备在内的集成电路制造设备及配套工艺解决方案。

屹唐半导体的产品已被多家全球领先的存储芯片制造厂商、逻辑电路制造厂商等集成电路制造厂商所采用,服务的客户全面覆盖了全球前十大芯片制造商和国内行业领先芯片制造商。

截至2020年12月31日,屹唐半导体产品全球累计装机数量已超过3,700台并在相应细分领域处于全球领先地位。根据Gartner统计数据,2020年公司干法去胶设备、快速热处理设备的市场占有率分别位居全球第一、第二。

技术研发方面,屹唐半导体在集成电路制造使用的干法去胶、快速热处理、干法刻蚀设备领域掌握了双晶圆真空反应腔设计、双晶圆反应腔真空整合传输设备平台设计、电感耦合远程等离子体源设计、远程等离子体源电荷过滤装置、晶圆双面辐射加热快速热退火技术、晶圆表面局部温度均匀度调节技术等核心技术。截至2021年5月31日,屹唐半导体拥有发明专利309项,并承担国家重大科研项目/课题。

屹唐半导体干法去胶设备、快速热处理设备主要可用于90纳米到5纳米逻辑芯片、1y到2x纳米系列DRAM芯片以及32层到128层3D闪存芯片制造中若干关键步骤的大规模量产;干法刻蚀设备主要可用于65纳米到5纳米逻辑芯片、1y到2x纳米系列DRAM芯片以及32层到128层3D闪存芯片制造中若干关键步骤的大规模量产。

未来规划上,屹唐半导体表示,公司将致力于成为国际领先的集成电路设备公司,将持续为集成电路制造环节提供更先进处理能力和更高生产效率的集成电路专用设备。在未来的发展中,公司将持续践行实施国际化经营、注重研发投入、拓展产品和客户、优化供应链、注重人才培育和激励、完善公司知识产权保护、实施外延式并购等战略规划。

校友简介

陆郝安博士(772)于1977年考入中国科学技术大学物理系,并在美国弗吉尼亚大学固态物理学专业获得博士学位,拥有四项美国发明专利,现任屹唐半导体总裁兼首席执行官。

北京亦庄国投通过屹唐半导体于2016年5月收购了总部在硅谷的半导体装备公司Mattson Technology。陆郝安博士率领团队成功渡过过渡期,于收购后的首年(2017年)即实现了创纪录的营收(2.52亿美元)和盈利(2.05千万美元),产品进入5nm逻辑和最先进存储芯片生产线,公司客户完整覆盖了全球前十大芯片生产厂商,同时全面为中国的芯片厂客户提供了产品和服务。2018年9月,屹唐半导体在北京亦庄的制造基地完成投产,10月份第一批机台下线。伴随着中国半导体产业的蓬勃发展,屹唐半导体将迎来新的发展机遇。

在加入屹唐半导体之前,陆郝安博士曾担任SEIM全球副总裁和中国区总裁,成功地将SEIMCON China 打造成为全球最大的半导体制造及供应链产业平台。陆郝安博士曾任职美国英特尔公司技术制造部,在硅谷多年从事芯片研发、制造及团队管理。而后任英特尔中国区公共事务部总监,成为英特尔在中国开拓研发制造等业务、落地芯片厂、封测厂及研发中心的的重要推动者。后被委派负责英特尔技术制造工程部的中国芯片厂(Fab 68)项目,主管英特尔在大连即亚洲首家芯片厂的生产设备供应链管理。陆郝安博士还曾在美国应用材料公司担任高级工艺工程师及项目主管。